ساخت نسل اول تراشه ۳ نانومتری سامسونگ آغاز شد

مدتی بود که درباره تراشه ۳ نانومتری سامسونگ اخباری می شنیدیم. از اواسط سال ۲۰۲۲ عبور کرده ایم و حالا ساخت نسل اول تراشه ۳ ناومتری سامسونگ آغاز شده است. این دستاورد برای کره‌ای ها از آن جهت حائز اهمیت است که تایوانی‌ها (TSMC) هنوز به مرحله تولید تراشه‌ای با این فناوری نرسیده اند.

تراشه ۳ نانومتری سامسونگ
امروز Samsung Foundry اعلام کرد که تولید انبوه تراشه های نسل اول خود را بر روی گره ۳ نانومتری آغاز کرده است. این بر اساس معماری جدید ترانزیستور GAA (Gate-All-Around) است که گام بعدی پس از FinFET است.

در مقایسه با معماری ۵ نانومتری، تراشه‌های نسل اول ۳ نانومتری سامسونگ می‌توانند تا ۲۳ درصد عملکرد بهتر، تا ۴۵ درصد کاهش مصرف انرژی و ۱۶ درصد کاهش مساحت را ارائه دهند.

گره ۳ نانومتری نسل دوم سامسونگ حتی چشمگیرتر خواهد بود. در مقایسه با گره ۵ نانومتری، سامسونگ ادعا می کند که ۵۰ درصد کاهش در مصرف انرژی، تا ۳۰ درصد بهبود عملکرد و ۳۵ درصد کاهش مساحت خواهد داشت.

سامسونگ اکنون از TSMC جلوتر است که انتظار می رود تولید انبوه تراشه های ۳ نانومتری را در نیمه دوم سال آغاز کند.

طراحی ترانزیستور Gate-All-Around یا GAA به کارخانه ریخته گری اجازه می دهد تا ترانزیستورها را کوچک کند، بدون اینکه به توانایی آنها در حمل جریان آسیبی وارد شود. طراحی GAAFET مورد استفاده در گره ۳ نانومتری، با نام MBCFET ارائه که در تصویر زیر نشان داده شده است.

نظر شما چیست؟ فکر می کنید که سامسونگ می تواند از TSMC جلوتر خواهد ماند؟